SiC电气特性优越，有望成为最具前景的半导体材料之一。半导体材料位于半导体产业链最上游，属于芯片制造与封测的支撑性产业，是半导体产业链中细分领域最多的环节。近年来，全球半导体材料市场规模稳健增长，而从被研究和规模化应用的先后顺序看，半导体材料发展至今已经历了三个阶段。其中，以SiC为代表的第三代半导体，具备耐高压、耐高温和低能量损耗等优越性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，有望成为半导体材料领域最具前景的材料之一。
碳化硅下游应用广泛，新能源汽车、光伏等驱动行业成长。SiC产业链包括上游SiC衬底材料的制备、中游外延层生长、器件制造以及下游应用市场。从下游应用看，SiC衬底可分为半绝缘性衬底和导电性衬底，其中半绝缘SiC衬底主要用于制作微波射频器件，用于5G通讯、雷达等高频需求领域，导电型衬底则用于制作功率器件，用于新能源汽车、光伏发电等高压需求领域。近年来，SiC功率器件在下游应用中崭露头角，应用范围已从传统的消费电子、工业控制、电力传输、计算机、轨道交通等领域，扩展至新能源汽车、风光储、物?
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