第三代半导体：更先进的材料，更优异的产品特性。第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此SiC材料具备更高效率和功率密度。从产业链来看，衬底是价值链核心，在成本SICSBD器件中，衬底价值量占比达到47%。我们认为，衬底价格下降是推动碳化硅产业链发展的核心环节，衬底行业的发展也是未来SiC产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。
市场空间仍待开发，产业链成熟度逐步提升。从市场空间上来看，根据Yole数据，预计2027年市场空间将超过60亿美元，仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，GAGR达到34%，从细分行业需求来看，新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。从供给端来看，目前整体产业链受限于SiC衬底产能、对衬底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸衬底转移等因素，同时在外延膜生产设备基本依靠海外、厚度与掺杂浓度均匀性等因素，外延生产同样存在壁垒。多因素导致?
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