核心观点
事件：特斯拉在近日的投资者大会上提出，下一代动力总成将在不损害汽车性能和效率的情况下将碳化硅减少75%（75%reductioninsiliconcarbide）。
特斯拉及供应商在中短期可能通过缩小芯片面积和模块封装技术优化来降低碳化硅成本，中长期可以通过提升器件电压、提升衬底和外延制造效率来降低碳化硅器件成本。意法半导体、英飞凌、罗姆和安森美等国际大厂通过沟槽栅、改变元胞形状等技术缩小碳化硅芯片面积，第三代芯片可以缩小75%面积，碳化硅芯片缩小导致发热密度急剧增加，特斯拉可能通过T-pak等模块封装技术优化提升散热能力和可靠性。此外，中长期来看，器件电压、衬底和外延制造效率的提升也有望降低碳化硅器件成本。
新能源汽车需求旺盛，SiC器件迎风而起。碳化硅性能优异，是制作高压高频高温器件的理想材料。2018年特斯拉将碳化硅导入Model3，相较于硅基IGBT开关损耗度降低75%、系统效率提升5%，尺寸更小，新能源车企竞相布局碳化硅器件。Yole数据显示，2021年全球SiC功率器件市场规模为11亿美元，预计2027年将增长至63亿美元，CAGR约34%。整体电动车相关领域（包括主逆变器、OBC、DC/D
声明：本站所有报告及文章，如无特殊说明或标注，均为本站用户发布。任何个人或组织，在未征得本站同意时，禁止复制、盗用、采集、发布本站内容到任何网站、书籍等各类媒体平台。如若本站内容侵犯了原著者的合法权益，可联系我们进行处理。
